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Samsungの3ビット/セルなフラッシュメモリー出た
インテルとマイクロンが、3ビット/セルのフラッシュメモリーをサンプル出荷し始めたのは、確か今年の8月だったと思います。25nmプロセスの製品で。そしたら今度はSamsungが、3ビット/セルの フラッシュメモリーを生産開始 したと報じられています。こちらは、20nmプロセスだそうです。3ビット/セルでもMLC(Multi Level Cell)と呼んで良いような気がしますが、どうやらTLC(Triple Level Cell)と呼ばれそうですね。



TLC Flash



引き続き、SDカードやUSBメモリーやiPodやSSDで、フラッシュメモリーの容量への需要はあるんだと思います。コストを上げずに容量を増やしていくためには、SLC→MLC→TLCという進化は必要なんでしょう。だけどその代わりに書き込み速度は遅くなるし、書き換え可能な回数も減ってしまいます。SLCでは10万回前後だった書き換え回数は、MLCでは1万回前後、TLCでは2000~5000回になるとか。容量は増えても書き換え回数が少なくなると、SSDのような用途には向かないのかも?

以下、技術的に適当なこと書いてますw(まあいつもそうですがw)
今後フラッシュメモリーは、どのように進化していくのでしょうね。1セルで記録できるビット数をこれ以上増やすのって、とても困難な割にSLCからMLCのように劇的な容量増加が得られるわけではないので、もうそういう方向へは進化しないんでしょうね。

フラッシュメモリーの書き換え回数の改善とかは、何とかできないんでしょうか。フラッシュメモリーは、絶縁体に電圧かけて無理やり電荷を移動させるので、絶縁体が劣化していくというように認識してる(本当かw)のですが、これを元に戻せるような仕組みとか、そこまでいかなくても劣化の進み具合をもうちょっと穏やかにするとか... もっと根本的にDRAMみたいに事実上書き換え回数無制限なフラッシュメモリーとかできないんすかね。そうなってしまったら、もうそれは「フラッシュメモリー」ではないかもしれませんねw

何となくありそうかなあと思うのは、SSD用に消去するブロックのサイズをファイルシステムで扱うクラスターサイズと揃えたりして、SSDとして使いやすいフラッシュメモリーとか? ねえかなw


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